Darlington transistor

バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ

シドニー・ダーリントン（Sidney Darlington, 1906年7月18日 - 1997年10月31日）は、アメリカ合衆国の電子工学者であり、1953年のダーリントントランジスタの発明で知られている。挿入損失合成法の開発してネットワーク理論の地位を向上させ、パルス圧縮、爆撃照準器、ロケットやミサイルの誘導方式の発明等も行った。