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収束電子回折(しゅうそくでんしかいせつ、英: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED)とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。
平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 (Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED) とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。
CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性(点群、空間群)の決定、格子欠陥の同定ができる。
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