舛岡富士雄
日本の電子工学研究者 / ウィキペディア フリーな encyclopedia
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舛岡 富士雄(ますおか ふじお、1943年5月8日 - )は、日本の電子工学研究者。フラッシュメモリの発明者として知られており、1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した[1]。1988年には、初期の非平面型3Dトランジスタ(英語版)である初のGate-all-around(英語版)(GAA)MOSFET(GAAFET(英語版))トランジスタも発明している。
概要 ますおか ふじお 舛岡 富士雄, 生誕 ...
ますおか ふじお 舛岡 富士雄 | |
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![]() 文化功労者顕彰に際して公表された肖像写真 | |
生誕 |
(1943-05-08) 1943年5月8日(81歳)![]() |
国籍 |
![]() |
教育 | 工学博士 |
出身校 |
群馬県立高崎高等学校 東北大学 |
職業 | 電子工学研究者 |
団体 |
東芝(1971年 - 1994年) 東北大学(1994年 - ) |
著名な実績 | NOR型フラッシュメモリ及びNAND型フラッシュメモリの開発・発明 |
肩書き |
東北大学大学院情報科学研究科教授(1994年時点) 東北大学電気通信研究所教授(1996年 - 2007年) 東北大学電気通信研究所名誉教授(2007年 - ) 通信・放送機構仙台リサーチセンターサブリーダー(1996年 - 2001年) 電子情報技術産業協会電子材料・デバイス技術専門委員会委員(2001年 - 2004年) 日本学術振興会特別研究等審査会専門委員(2002年 - 2004年) |
敵対者 | 東芝(2004年 - 2006年) |
受賞 |
IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞(1997年) 市村産業賞本賞(2000年) 本田賞(2018年) |
栄誉 |
紫綬褒章(2007年) 文化功労者(2013年) 瑞宝重光章(2016年) |
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元東芝社員。東北大学名誉教授。現在は日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)として、Surrounding Gate Transistor(SGT)の開発を行っている。紫綬褒章、文化功労者、瑞宝重光章。