利用者:加藤勝憲/モハメド・M・アタラ
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モハメド・M・アタラ(阿: محمد عطاالله、1924年8月4日–2009年12月30日)は、エジプト系アメリカ人のエンジニア、物理学者、暗号学者、発明家、起業家。
概要 生誕, 死没 ...
モハメド・M・アタラ Mohamed Martin Atalla | |
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محمد عطاالله | |
1963 年、ヒューレット・パッカードの研究所で半導体研究部長を務めていた モハメッド・アタラ | |
生誕 |
August 4, 1924 エジプト ポートサイド |
死没 |
2009年12月30日(2009-12-30)(85歳没) Atherton, California, United States |
国籍 |
エジプト USA |
別名 |
M. M. Atalla "Martin" M. Atalla "John" M. Atalla |
教育 |
カイロ大学 (学士) パデュー大学 (修士 博士) |
著名な実績 |
MOSFET (MOS transistor) Surface passivation Thermal oxidation PMOS and NMOS MOS integrated circuit Hardware security module |
子供 | Bill Atalla[1] |
技術者の経歴 | |
工学分野 |
Mechanical engineering Electrical engineering Electronic engineering Security engineering |
所属学会 |
Bell Labs Hewlett-Packard Fairchild Semiconductor Atalla Corporation |
主な受賞 |
National Inventors Hall of Fame Stuart Ballantine Medal Distinguished Alumnus IEEE Milestones IT Honor Roll |
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半導体のパイオニアであり、現代のエレクトロニクスに重要な貢献をした。1959年にMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、MOSトランジスタ)を発明したことで知られ(同僚のダウォン・カーンとともに)、アタラの初期の表面不動態化および熱酸化プロセスとともに、電子産業に革命をもたらした。
表面不動態および熱酸化プロセス(プレーナープロセスやモノリシック集積回路チップなどのシリコン半導体技術の基礎)の開発、1959年のカーンとのMOSFETの発明など、ベルの半導体技術にいくつかの重要な貢献をした。、およびPMOSおよびNMOSの製造プロセス。ベルでのアタラの先駆的な仕事は、現代のエレクトロニクス、シリコン革命、デジタル革命に貢献した。特にMOSFETは、現代の電子機器の基本的な構成要素であり、電子機器における最も重要な発明の1つと考えられている。これは史上最も広く製造されたデバイスでもあり、米国特許商標庁はこれを「世界中の生活と文化を変えた画期的な発明」と呼んでいる。
また、1972年に設立されたデータセキュリティ会社AtallaCorporation(現UtimacoAtalla)の創設者としても知られる。半導体技術だけでなく、データセキュリティへの重要な貢献が認められ、スチュアート・バランタイン・メダル(現在のスチュアート・バレンタイン・メダル(現在はベンジャミン・フランクリン・メダル(フランクリン協会))を受賞、全米発明家殿堂入りを果たした。