Arseniuro di gallio e alluminio

L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula Al_xGa_1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio^[1].

Questa voce sull'argomento chimica inorganica è solo un abbozzo.

Contribuisci a migliorarla secondo le convenzioni di Wikipedia.

A questa voce o sezione va aggiunto il template sinottico {{Materiale}}

Puoi aggiungere e riempire il template secondo le istruzioni e poi rimuovere questo avviso. Se non sei in grado di riempirlo in buona parte, non fare nulla; non inserire template vuoti.

Ha un parametro reticolare simile a quello del GaAs, ma una maggiore band gap; queste caratteristiche rendono la coppia AlGaAs/GaAs adatta per la formazione di eterostrutture di buona qualità. Trova quindi applicazione in dispositivi di tipo HEMT.

Arseniuro di gallio e alluminio

Note

Voci correlate

Collegamenti esterni

Wikiwand - on