Transistor 3D
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Con il termine 3D transistor si indica una particolare evoluzione dei transistor tradizionali che non prevede un progetto planare ma tridimensionale. Lo sviluppo di transistor con struttura tridimensionale è stato portato avanti da diverse società e gruppi di ricerca (tra questi uno dei più attivi è sempre stata Intel) e la caratteristica peculiare di tali soluzioni è quella di contenere non uno, ma 3 "gate".
Nel 2007 Intel aveva annunciato che questo tipo di transistor avrebbe potuto debuttare nel 2009 nei futuri processori basati sulle architetture Westmere e Sandy Bridge costruiti con processo produttivo a 32 nm, ma successivamente non si hanno più avuto conferme in tal senso ed è apparso quindi probabile uno slittamento di tale rivoluzione ai processi produttivi ancora più evoluti. Tale fatto è poi stato confermato da Intel nel corso del 2011, avendo annunciato l'impiego di tale tecnologia nei processori a 22 nm basati su architettura Ivy Bridge.