Power MOSFET

décembre 1982 par Hans W. Beck et Carl F. Wheatley, Jr., sous le nom de Power MOSFET with an Anode Region (Brevet no 4,364,073). C’est une technologie récente

Mohamed N. Darwish, Richard A. Blanchard et Ralf Siemieniec, « The Trench Power MOSFET—Part II: Application Specific VDMOS, LDMOS, Packaging, and Reliability »

com, WA1QIX (consulté le 6 juin 2015) B. Jayant Baliga, Silicon RF Power MOSFETS, World Scientific, 2005, 302 p. (ISBN 978-981-256-121-3, lire en ligne)

almost every conceivable way. » Duncan Andrew Grant et John Gowar, Power MOSFETS : theory and applications, Wiley, 1989 (ISBN 978-0-471-82867-9, lire

à effet de champ : transistors MOSFET à appauvrissement, MOSFET à enrichissement (de loin les plus nombreux) et MOSFET à jonction (JFET). Dans chaque