ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون
نوعی ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) که از مواد نیمرسانای متفاوت برای ناحیه امیتر و بیس استفاده میکند و یک پیوندناهمگون ایجاد میکند. / From Wikipedia, the free encyclopedia
ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون (HBT) (به انگلیسی: heterojunction bipolar transistor) نوعی از ترانزیستور دوقطبی است که از نیمرساناهای متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوندناهمگون به وجود آمدهاست. برتری HBT نسبت به BJT این است که میتواند در فرکانسهای بسیار-بالا تا حدود چندصد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستورها معمولاً در مدارات نسل جدید بسیارسریع و فرکانس رادیویی که نیازمند بازدهی بالا نیز هست، مانند گوشی تلفن همراه، استفاده میشود.[1]