From Wikipedia, the free encyclopedia
بایاس ترانزیستورهای دوقطبی باید بهطور صحیح انجامشده باشند تا به درستی کارکنند. در مدارهای ساختهشده با قطعات مجزا (مدارهای گسسته)،معمولاً از شبکههای بایاس متشکل از مقاومت بکارمیروند. چیدمان بسیار پیچیدهٔ بایاسسازی در مدارهای مجتمع استفاده میشود؛ به عنوان مثال، مرجع ولتاژ شکافباندی و آینههای جریان. پیکربندی تقسیم ولتاژ با استفاده از مقاومتها در الگوهای خاص، به ولتاژهای صحیح دست مییابد. با انتخاب مقدار مناسب مقاومت، میتوان سطح پایدار جریانی را بدست آورد که فقط کمی با دما و با مشخصههای ترانزیستور مانند β تغییرمیکند.
نقطه کار یک قطعه، همچنین به عنوان نقطه بایاس، نقطه ساکن یا نقطه-Q شناخته میشود، نقطهای مشخصه خروجی است که جریان کلکتور (Ic) را برحسب ولتاژ DC کلکتور-امیتر (Vce) نشان میدهد (بدون سیگنال ورودی اعمال شده).
مدار بایاس نقطه کار ترانزیستور را برای تغییرات در مشخصات ترانزیستور و دمای کاری تثبیت میکند. بهره ترانزیستور میتواند بهطور قابل ملاحظهای بین بتاهای مختلف متفاوت باشد، که این امر باعث ایجاد نقاط کار بسیار متفاوت برای شمارههای متوالی در تولید پشت سر هم یا پس از تعویض یک ترانزیستور میشود. توسط اثر ارلی، بهره جریان تحت تأثیر ولتاژ کلکتور-امیتر قرار میگیرد. هر دوی بهره و ولتاژ بیس-امیتر به دما بستگی دارد. جریان نشت نیز با افزایش دما افزایش مییابد. شبکه بایاس برای کاهش اثرات تغییرپذیری قطعه، دما و تغییرات ولتاژ انتخاب شدهاست.[1]
برای کار آنالوگ یک تقویتکننده کلاس A، نقطه Q جایی قرار میگیرد تا ترانزیستور در حالت فعال بماند (در هنگام کار در ناحیه اشباع یا ناحیه قطع جابهجا نشود) وقتی از ورودی استفاده میشود. برای کار دیجیتالی، نقطه Q جایی قرار میگیرد تا ترانزیستور برعکس عمل کند - از حالت «روشن» (اشباع) به حالت «خاموش» (قطع) سوئیچ میشود. غالباً، نقطه Q در نزدیکی مرکز ناحیه فعال یک ترانزیستور مشخص میشود تا نوسانات سیگنال شبیه به هم در جهت مثبت و منفی امکانپذیر باشد.
در جریان ثابت، افت ولتاژ در پایه امیتر-بیس VBE از یک ترانزیستور دو قطبی با مقدار ۲ میلیولت (برای سیلیکون) و ۱٫۸ میلیولت (برای ژرمانیم) برای هر ۱ افزایش درجه حرارت درجه حرارت (مرجع ۲۵ است درجه سانتیگراد) کاهش مییابد. با استفاده از مدل ابرز-مول، اگر ولتاژ بیس-امیتر VBE ثابت نگه داشته شود و دما افزایش یابد، جریان از طریق دیود بیس-امیتر IB افزایش مییابد، و در نتیجه جریان کلکتور IC نیز افزایش مییابد. بسته به نقطه بایاس، توان اتلاف شده در ترانزیستور نیز افزایش مییابد و این باعث افزایش بیشتر دمای آن و تشدید مشکل خواهد شد. این بازخورد مثبتِ مُضر منجر به فرار گرمایی میشود.[2] روشهای مختلفی برای کاهش فرار حرارتی ترانزیستور دو قطبی وجود دارد؛ مثلاً،
مدارهای زیر استفاده از بازخورد منفی برای جلوگیری از فرار حرارتی را نشان میدهند.
در ادامه پنج مدار متداول بایاس کردن برای استفاده از تقویتکنندههای ترانزیستور دو قطبی کلاس A مورد بحث قرار میگیرد:
به این شکل از بایاس بایاس بیس یا بایاس مقاومت ثابت نیز گفته میشود. در تصویر مثال سمت راست، منبع تغذیه تکی (به عنوان مثال باتری) برای کلکتور و بیس ترانزیستور استفاده میشود، اگرچه از باتریهای جداگانه نیز میتوان استفاده کرد.
در مدار داده شده،
از این رو،
برای ترانزیستور داده شده، Vbe در طول استفاده تغییر چندانی ندارد. از آنجا که Vcc مقداری ثابت است، در انتخاب Rb، جریان بیس Ib ثابت میشود؛ بنابراین، به این نوع مدار ثابت بایاس ثابت گفته میشود.
همچنین، برای مدار دادهشده،
از این رو،
بهره جریان امیتر مشترک ترانزیستور یک پارامتر مهم در طراحی مدار است و برای یک ترانزیستور خاص روی برگه دادهها مشخص شدهاست. به عنوان β در این صفحه نشان داده شدهاست.
زیرا
ما میتوانیم Ic را نیز بدست آوریم. به این ترتیب، میتوان نقطه کار داده شده به عنوان (Vce ،Ic) را برای ترانزیستور داده شده تنظیم کرد.
مزایای:
معایب:
با توجه به اشکالات ذاتی فوق، بایاس ثابت به ندرت در مدارهای خطی مورد استفاده قرار میگیرد (یعنی مدارهایی که از ترانزیستور به عنوان منبع جریان استفاده میکنند). در عوض، اغلب در مدارهایی که از ترانزیستور به عنوان کلید استفاده میشود، استفاده میشود. با این وجود، یکی از کاربردهای بایاس ثابت، دستیابی کنترل خودکار بهره ابتدایی در ترانزیستور با مقاومت تغذیه بیس از سیگنال DC است که از خروجی AC طبقه بعدی حاصل میشود.
این پیکربندی از بازخورد منفی برای جلوگیری از فرار حرارتی و تثبیت نقطه کار استفاده میکند. در این شکل از بایاس، مقاومت بیس به جای اتصال آن به منبع DC به کلکتور متصل شدهاست؛ بنابراین هر فرار حرارتی باعث افت ولتاژ بر روی مقاومت میشود که جریان بیس ترانزیستور را کنترل میکند.
از قانون ولتاژ کیرشهف، ولتاژ ولتاژ دو سر مقاومت بیس است
توسط مدل ابرز-مول (Ebers – Moll), و همینطور
از قانون اهم، جریان بیس و همینطور
از این رو جریان بیس است
اگر ثابت نگه داشته شود و دما افزایش یابد، سپس جریان کلکتور افزایش مییابد. با این حال، بزرگتر باعث افزایش افت ولتاژ در مقاومت میشود، که به نوبه خود باعث کاهش ولتاژ دوسر مقاومت بیس میشود. افت ولتاژ پایینتر مقاومت بیس جریان بیس را کاهش میدهد، که باعث میشود جریان کلکتور کمتر شود. از آنجا که افزایش جریان کلکتور با درجه حرارت مخالف است، نقطه کار ثابت نگهداشتهشدهاست.
مزایای:
معایب:
این حالت وقتی است که
بازخورد منفی همچنین مقاومت تقویتکننده ورودی را همانطور که از بیس مشاهده میشود افزایش میدهد، که میتواند سودمند باشد. با توجه به کاهش بهره از بازخورد، این فرم بایاس فقط هنگامی استفاده میشود که معاوضه برای پایداری ضروری باشد.
مدار بایاس ثابت با اتصال یک مقاومت خارجی به امیتر بهبود مییابد. این مقاومت بازخورد منفی را نشان میدهد که نقطه Q را تثبیت میکند. از قانون ولتاژ کیرشهف، ولتاژ دوسر مقاومت بیس است
از قانون اهم جریان بیس است
نحوه کنترل بازخورد نقطه بایاس به شرح زیر است. اگر V ثابت شود و دمای افزایش یابد، جریان امیتر افزایش مییابد. با این حال، Ie بزرگتر ولتاژ امیتر Ve = IeRe را افزایش میدهد، که به نوبه خود باعث کاهش ولتاژ VRb دوسر مقاومت بیس میشود. افت ولتاژ پایینتر مقاومت بیس جریان بیس را کاهش میدهد و این باعث میشود جریان کلکتور کمتر شود زیرا Ic = β Ib. جریان کلکتور و جریان امیتر توسط Ic = α Ie با α≈۱ در ارتباط است، بنابراین افزایش جریان امیتر با دما مخالف است، و نقطه کار را پایدار نگه میدارد.
مدار تمایل به تثبیت نقطه کار در برابر تغییر دما و مقدار β دارد.
معایب:
که تقریباً این حالت است اگر
تقسیم ولتاژ با استفاده از مقاومتهای خارجی R1 و R2. با انتخاب مناسب مقاومت R1 و R2، نقطه کار ترانزیستور میتواند مستقل از β ساخته شود. در این مدار، تقسیم ولتاژ ولتاژ بیس را مستقل از جریان بیس ثابت نگه میدارد، مشروط بر اینکه جریان تقسیمکننده نسبت به جریان بیس بزرگتر باشد. با این حال، حتی با یک ولتاژ بیس ثابت، جریان کلکتور با درجه حرارت (به عنوان مثال) متفاوت است بنابراین یک مقاومت امیتر برای تثبیت نقطه Q، شبیه به مدارهای فوق با مقاومت امیتر اضافه میشود. پیکربندی تقسیم ولتاژ با استفاده از مقاومتها در الگوهای خاص، به ولتاژهای صحیح دست مییابد. با دستکاری مقاومتها به روشهای خاصی میتوانید به سطح جریان با ثباتتر برسید بدون اینکه مقدار β آن را بیش از حد تحت تأثیر قرار دهد.
در این مدار ولتاژ پایه توسط:
ولتاژ در سراسر {{سخ}}
همچنین
برای مدار داده شده،
مزایای:
معایب:
که تقریباً این حالت است اگر
پایداری و شایستگی مدار مانند بالا باعث میشود که از آن برای مدارهای خطی بهطور گسترده استفاده شود.
مدار تقسیم ولتاژ استاندارد که در بالا مورد بحث قرار گرفت، با یک اشکال مواجه است - بازخورد AC ناشی از مقاومت RE باعث کاهش بهره میشود. با قرار دادن یک خازن (Ce) به موازات Re همانطور که در شکل مدار نشان داده شدهاست، میتوان از این کار جلوگیری کرد. نتیجه این است که نقطه کار DC به خوبی کنترل میشود، در حالی که بهره AC بسیار بالاتر (نزدیک به β) از مقدار بسیار پایینتر (اما قابل پیشبینی) بدون خازن است
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.