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Litografía ultravioleta extrema
una tecnología de litografía de próxima generación que utiliza una longitud de onda ultravioleta extrema (LUVE), que actualmente se espera que sea de 13,5 nm. / De Wikipedia, la enciclopedia encyclopedia
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La litografía ultravioleta extrema (también conocida como UVE, LUVE o EUV, EUVL, por sus siglas en inglés)[1]es una tecnología de vanguardia utilizada en la industria de semiconductores para fabricar circuitos integrados (CI). Es un tipo de fotolitografía que utiliza luz ultravioleta extrema (UVE) para crear patrones intrincados en obleas de silicio. La gama de longitudes de onda UVE utilizadas abarca aproximadamente un ancho de banda de 2 % FWHM de aproximadamente 13,5 nm.[2][3][4]
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Si bien la tecnología UVE está disponible para la producción en masa, menos de cincuenta máquinas en todo el mundo son capaces de producir obleas utilizando la técnica;[5] en comparación, a partir de 2013, más de 200 sistemas de inmersión en litografía ultravioleta profunda (UVP o DUV por sus siglas en inglés) ya estaban implementados.[6] A partir del tercer trimestre de 2019, 5,7 millones de obleas han sido expuestas en herramientas de producción de UVE; Se expusieron 1,7 millones de obleas solo en Q1-Q3, mientras que el número de herramientas aumentó de 31 a 45 (del orden de 10 obleas por hora por herramienta).[7] Los problemas que dificultan la adopción de UVE son los costos de las herramientas (los escáneres UVE de ASML pueden costar hasta US$ 120 millones),[8][9] tiempo de actividad de la herramienta y fenómenos estocásticos.[10]
A partir de 2023, ASML Holding es la única empresa que produce y vende sistemas UVE para la producción de chips, principalmente dirigidos a 5 nm y nodos de 3 nm. En el International Electron Devices Meeting (IEDM) de 2019, TSMC informó del uso de UVE para 5 nm en capas de contacto, vías, líneas metálicas y cortes, donde los cortes pueden aplicarse a aletas, puertas o líneas metálicas.[11][12]