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Silizium-Durchkontaktierung
Begriff aus der Halbleitertechnik / aus Wikipedia, der freien encyclopedia
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Unter dem Begriff Silizium-Durchkontaktierung (englisch through-silicon via, TSV) versteht man in der Halbleitertechnik eine meist vertikale elektrische Verbindung aus Metall durch ein Silizium-Substrat (Wafer, Chip). Die TSV-Technologie ist eine vielversprechende Möglichkeit zur Realisierung elektrischer Verbindungen zwischen Teilchips bei der 3D-Integration von zukünftigen integrierten Schaltkreisen (IC).
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