Unijunction-transistor

En unijunction-transistor (UJT) eller dobbelt-basis diode er en ikke særlig udbredt elektronisk halvlederenhed. som kun har én pn-overgang.

For alternative betydninger, se Unijunction-transistor (flertydig). (Se også artikler, som begynder med Unijunction-transistor)

Unijunction-transistorer

Kredsløbssymbol (IEC 60617) for en unijunction-transistor.

Kredsløbssymbol (IEC 60617) for en komplementær unijunction-transistor (CUJT). Bemærk at emitterpilen peger udad.

Kredsløbssymbol for en unijunction-transistor.

Graf af en unijunction-transistors karakteristiske kurve.

Oscillatorkredsløb med en unijunction-transistor.

En unijunction-transistor er en enkel enhed, som grundlæggende set er en lille pind af N-type halvledermateriale i hvilken en P-type materiale er blevet doterede langs noget af pindens længde, og som er med til at definere enhedsparameteren ${\displaystyle \eta }$. 2N2646^[1] er den almindeligste version af UJT.

UJT har tre terminaler: En emitter (E) og to baser (B1 og B2). Basen udgøres af n-type pind af silicium. To ohmske kontakter B1 og B2 er sat på dens ender. Emitteren er af p-type og den er mere doteret. Modstanden mellem B1 og B2, når emitteren en uforbundet, kaldes interbase modstanden.

En UJT findes også med en p-type pind og n-type emitter. Den kaldes for en komplementær unijunction-transistor (CUJT, forkortet fra engelsk complementary unijunction-transistor).

En UJT er fx anvendelig i simple oscillatorkredsløb.

Unijunction-transistoren var populære i hobbyelektronik kredsløb i 1970'erne og tidlige 1980'erne, fordi de muliggjorde simple oscillatorer med kun én aktiv enhed. Senere, da IC'ere blev billigere og mere almindelige, såsom 555 timer IC'en, svandt UJT-anvendelsen ind.

Opfindelse

Unijunction-transistoren blev opfundet som biprodukt af forskning med germanium tetrode-transistorer ved General Electric.^[2] Unijunction-transistoren blev patenteret i 1953. Kommercielt fremstilles unijunction-transistorer med silicium.^[3]