![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/79/PN_diode_with_electrical_symbol.svg/langda-640px-PN_diode_with_electrical_symbol.svg.png&w=640&q=50)
pn-overgang
From Wikipedia, the free encyclopedia
En pn-overgang eller np-overgang er en grænseflade mellem to typer af halvledere; p-type og n-type, inden i ét enkelt krystal af halvleder. En pn-overgang bliver skabt ved dotering, fx ved ion-implantation, diffusion af dopanter - eller ved epitaksi (vækst af et dopant-type doteret krystallag ovenpå et andet dopant-type doteret krystallag). Hvis to separate dopant-type doterede krystallag blev sat sammen mekanisk ville der introduceres en kornovergang mellem de to dopant-type halvledere, hvilket ville hæmme dets anvendelse grundet scattering af elektronerne og elektronhullerne.
- Se også pn-diode
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/79/PN_diode_with_electrical_symbol.svg/320px-PN_diode_with_electrical_symbol.svg.png)
pn-overgange er grundlæggende "byggeblokke" af de fleste halvlederkomponenter såsom dioder, transistorer, solceller, lysdioder og integrerede kredsløb; pn-overgange er her de aktive zoner, hvor komponentens elektroniske virkning sker. Fx består den bipolare transistor af to pn-overgange i serie; i form af enten npn eller pnp.
Opdagelsen af pn-overgangen bliver sædvanligvis krediteret til den amerikanske fysiker Russell Ohl i 1939 fra Bell Laboratories.[1]
En Schottky-overgang er et specialtilfælde af en pn-overgang, hvor metallet har rollen af p-type halvlederen.