EEPROM

EEPROM (též E²PROM) je anglická zkratka pro Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (Elektricky Vymazatelná Paměť pouze pro čtení). Jedná se o elektricky mazatelnou semipermanentní (nevolatilní) paměť typu ROM-RAM. Paměť má typickou životnost 200 tisíc zápisů (ATMega16) což je řádově více než paměť typu flash, další výhodou pamětí EEPROM je vyšší životnost dat v nich uložených, Typická hodnota Data Retention je 20 let (ATMega16), což je opět řádově více než u pamětí typu flash. Hlavní nevýhodou je vyšší složitost paměťové buňky a s tím související nižší hustota a vyšší cena. Využití této paměti je jako úložiště dat, která se mění častěji než je životnost paměti flash.(např. nastavení hlasitosti u TV)

Tento článek není dostatečně ozdrojován, a může tedy obsahovat informace, které je třeba ověřit.

EEPROM

Technologie

Při výrobě pamětí EEPROM se používá speciálních tranzistorů vyrobených technologií MNOS (Metal Nitrid Oxide Semiconductor). Jedná se o tranzistory, na jejichž řídící elektrodě je nanesena vrstva nitridu křemíku (Si₃N₄) a pod ní je umístěna tenká vrstva oxidu křemičitého (SiO₂).

Vlastní buňka paměti EEPROM pak pracuje na principu tunelování (vkládání) elektrického náboje na přechod těchto dvou vrstev. Při zápisu dat se přivede na příslušný adresový vodič záporné napětí -U a datový vodič buněk, do nichž se má zaznamenat hodnota 1, se uzemní. Tranzistor se otevře a vznikne v něm náboj, který vytvoří velké prahové napětí. Při čtení se přivede na adresový vodič záporný impuls. Tranzistor s malým prahovým napětím se otevře a vede elektrický proud do datového vodiče, zatímco tranzistor s velkým prahovým napětím zůstane uzavřen.

Vymazání paměti se provádí kladným napětím +U, které se přivede na adresové vodiče. Tunelovaný náboj se tím zmenší a prahové napětí poklesne, čímž je paměť vymazána.

Související články

• ROM
• PROM
• EPROM
• FLASH

Externí odkazy

• Obrázky, zvuky či videa k tématu EEPROM na Wikimedia Commons