William Shockley
físic estatunidenc guardonat amb el premi Nobel From Wikipedia, the free encyclopedia
físic estatunidenc guardonat amb el premi Nobel From Wikipedia, the free encyclopedia
William Bradford Shockley (13 de febrer de 1910, Londres, Anglaterra - 12 d'agost de 1989, Stanford (Califòrnia), EUA) fou un físic nord-americà guardonat amb el Premi Nobel de Física l'any 1956. Juntament amb John Bardeen i Walter Houser Brattain, obtingué el Premi Nobel de Física el 1956 per les seves investigacions sobre semiconductors i l'invent del transistor de contacte.
El 1955, Shockley va abandonar els laboratoris Bell i va tornar a la seva ciutat natal, Palo Alto, Califòrnia, a les proximitats de la Universitat de Stanford, per crear la seva pròpia empresa, Shockley Semiconductors Laboratory, amb el suport econòmic d'Arnold Beckman, de Beckman Instruments. Comptant amb la influència del seu prestigi i el suport econòmic de Beckman Instruments va intentar convèncer diversos dels seus companys de treball de Bell que s'unissin a ell a la nova empresa; cap va voler. Per tant, va començar a rebuscar a les universitats els estudiants més destacats per formar amb ells l'empresa. Però, atès el seu estil empresarial, vuit dels investigadors van abandonar la companyia el 1957 per formar l'empresa Fairchild Semiconductor. Entre ells hi havia Robert Noyce i Gordon Moore que més tard crearien Intel. Entre les seves publicacions destaca «Electrons i buits al semiconductor», obra publicada el 1950.
Va néixer a la ciutat de Londres fill de pares nord-americans. Instal·lat amb la seva família a l'estat nord-americà de Califòrnia estudià física a l'Institut Tecnològic de Califòrnia per doctorar-se l'any 1936 a l'Institut Tecnològic de Massachusetts.
William Shockey morí el 1989 a la ciutat californiana de Stanford a conseqüència d'un càncer de pròstata.
Inicià els seus primers treballs al voltant dels electrons als Laboratoris Bell de Nova Jersey, continaunt posteriorment en la investigació sobre el radar, fins que el 1942 abandonà el seu càrrer als Laboratoris Bell per esdevenir director del Grup de recerca de la guerra antisubmarina de la Universitat de Colúmbia.
Al final de la Segona Guerra Mundial els laboratoris Bell van formar un grup de treball al voltant de la física d'estat sòlid, conduït per Shockley i el químic Stanley Morgan, amb la col·laboració de John Bardeen, Walter Houser Brattain, Gerald Pearson, Robert Gibney, Hilbert Moore i diversos tècnics. La seva assignació era buscar una alternativa d'estat sòlid als amplificadors de cristall fràgils de la vàlvula de buit. Les seves primeres temptatives van ser basades en les idees de Shockley sobre usar un camp elèctric extern en un semiconductor per a afectar la seva conductivitat. Aquests intents fallaren a cada prova, fins que Bardeen va suggerir una teoria que invocava els estats superficials que van evitar que el camp penetrés el semiconductor. Les seves recerques continuaren amb la descripció del díode, la versió electrònica de la vàlvula de buit. Les seves recerques al voltant dels semiconductors el dugueren a formular el 4 de juliol de 1951 el transistor bipolar, obtenint la seva patent el setembre del mateix any.
El 1957 fundà el seu propi laboratori d'investigació, Fairchild Semiconductor, però la seva forma de dur l'empresa va provocar que vuit dels seus investigadors abandonessin la companyia el 1958, entre els quals foren Robert Noyce i Gordon Moore que més tard crearien Intel.
L'any 1956 fou guardonat amb el Premi Nobel de Física, juntament amb John Bardeen i Walter Houser Brattain, per la seva recerca en semiconductors i pel descobriment de l'efecte transistor.
A la fi de la dècada del 1960 Sockley va realitzar unes controvertides declaracions sobre les diferències intel·lectuals entre les races, defensant que els test d'intel·ligència mostraven un factor genètic en la capacitat intel·lectual revelant que els afro-nord-americans eren inferiors als nord-americans caucàsics, així com que la major taxa de reproducció entre els primers va tenir un efecte regressiu en l'evolució.
