![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/57/SET_schematic2.jpg/640px-SET_schematic2.jpg&w=640&q=50)
Transistors d'electró únic
From Wikipedia, the free encyclopedia
El transistor d'electró únic (single-electron transistor, SET) és un dispositiu electrònic basat en l'efecte bloqueig de Coulomb (Coulomb Blockade, CB). En aquest dispositiu l'electró es condueix a través de les d'unions túnel que separen els terminals de font/drenador respecte a un punt quàntic (illa conductiva) que en aquests dispositius actua com a canal de conducció. Cal tenir present que el potencial de l'illa conductiva vindrà modificat per un tercer elèctrode (porta) que està acoblat capacitivament a l'illa de conducció. La Fig. 1 mostra l'esquema bàsic d'un dispositiu SET, on l'illa conductiva està compresa entre les unions tunel, que son modelades per una capacitat (CD i CS) i una resistència (RD i RS) en paral·lel.[1]
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/57/SET_schematic2.jpg/640px-SET_schematic2.jpg)
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/71/SETFET_schematic.jpg/320px-SETFET_schematic.jpg)