![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/44/Esquema_interno_del_transistor_JFET.svg/langca-640px-Esquema_interno_del_transistor_JFET.svg.png&w=640&q=50)
JFET
From Wikipedia, the free encyclopedia
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en català: transistor d'efecte camp d'unió) és un dispositiu electrònic, és a dir, un circuit que, segons uns valors elèctrics d'entrada, reacciona donant uns valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d'efecte de camp elèctric, aquests valors d'entrada són les tensions elèctriques, en concret la tensió entre els terminals S (font) i G (porta), V GS . Segons aquest valor, la sortida del transistor presentarà una corba característica que es simplifica definint-hi tres zones amb equacions definides: tall, òhmica i saturació.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/44/Esquema_interno_del_transistor_JFET.svg/320px-Esquema_interno_del_transistor_JFET.svg.png)
Físicament, un JFET dels anomenats "canal P" està format per una pastilla de semiconductor tipus P en els extrems se situen dues patilles de sortida (drenador i font) flanquejada per dues regions amb dopatge de tipus N en què es connecten dos terminals connectats entre si (porta). En aplicar una tensió positiva (en inversa) VGS entre porta i font, les zones N creen al seu voltant sengles zones en les que el pas d'electrons (corrent ID) queda tallat, anomenades zones d'exclusió. Quan aquesta VGS sobrepassa un valor determinat, les zones d'exclusió s'estenen fins a tal punt que el pas d'electrons ID entre font i drenador queda completament tallat. A aquest valor de VGS se l'anomena Vp. Per a un JFET "canal P" les zones pin s'inverteixen, i les VGS i V p són positives, tallant el corrent per a tensions majors que Vp.
Així, segons el valor de VGS es defineixen dues primeres zones: una activa per tensions negatives grans que Vp (ja que Vp és també negativa) i una zona de tall per tensions menors que Vp. Els diferents valors de la ID en funció de la VGS venen donats per una gràfica o equació anomenada equació d'entrada.
A la zona activa, en permetre el pas de corrent, el transistor donarà una sortida al circuit que ve definida per la mateixa ID i la tensió entre el drenador i la font VDS. A la gràfica o equació que relaciona estàs dues variables s'anomena equació de sortida, i en ella és on es distingeixen les dues zones de funcionament d'activa: òhmica i saturació.