Fitxer:1-1-1_Pits_from_Aluminum_Alloying.jpg
From Wikipedia, the free encyclopedia
Mida d'aquesta previsualització: 796 × 599 píxels. Altres resolucions: 319 × 240 píxels | 638 × 480 píxels | 1.020 × 768 píxels | 1.280 × 964 píxels | 2.161 × 1.627 píxels.
Fitxer original (2.161 × 1.627 píxels, mida del fitxer: 492 Ko, tipus MIME: image/jpeg)
Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons. Vegeu la pàgina original a Commons |
Resum
Descripció1-1-1 Pits from Aluminum Alloying.jpg |
English: The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer. At the center of the image is a light triangle. This triangle is a pyramid-shaped area of Al-Si alloy caused by high-temperature processing (450°C annealing) of the wafer after Aluminum deposition and etching. The 1-1-1 orientation of the silicon wafer enables the alloying to descend into the wafer perpendicular to the surface of the wafer. The alloyed area has a different index of refraction than than the other silicon substrate and is highlighted by the Nomarski Differential Interference Contrast microscopy (DIC). Note that the features are visible because of the aluminum had previously been etched away with acid to enable this microscopic analysis. |
Data | |
Font | Treball propi |
Autor | Richstraka |
Aquest fitxer està subjecte a la llicència de Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 3.0 No adaptada.
- Sou lliure de:
- compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
- adaptar – fer-ne obres derivades
- Amb les condicions següents:
- reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
- compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
Fotografia pròpia
Elements representats en aquest fitxer
representa l'entitat
Algun valor sense element de Wikidata
image/jpeg
5fd0f80fe2d459364f4f8c6d11e44f4653ad36c8
503.616 byte
1.627 píxel
2.161 píxel
photomicrograph anglès
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
---|---|---|---|---|---|
actual | 00:23, 28 set 2009 | 2.161 × 1.627 (492 Ko) | Richstraka~commonswiki | {{Information |Description={{en|1=The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer. At the center of the image is a light triangle. This triangle is a pyramid-shaped area of Al-Si alloy caused by high-temperature processing (450°C annealin |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a en.wikipedia.org
- Utilització a es.wikipedia.org
- Utilització a fa.wikipedia.org
- Utilització a ja.wikipedia.org
Metadades
Aquest fitxer conté informació addicional, probablement afegida per la càmera digital o l'escàner utilitzat per a crear-lo o digitalitzar-lo. Si s'ha modificat posteriorment, alguns detalls poden no reflectir les dades reals del fitxer modificat.
Orientació | Normal |
---|---|
Resolució horitzontal | 600 ppp |
Resolució vertical | 600 ppp |
Programari utilitzat | Adobe Photoshop CS4 Macintosh |
Data i hora de modificació del fitxer | 18:15, 27 set 2009 |
Espai de color | Sense calibrar |
Amplada de la imatge | 2.161 px |
Alçària de la imatge | 1.627 px |
ID únic del document original | adobe:docid:photoshop:bb38055b-ef92-11dc-b28f-bfbf7f054ee6 |
Dia i hora de digitalització | 16:47, 9 març 2008 |
Data que s'ha modificat les metadades per última vegada | 14:15, 27 set 2009 |
Estat dels drets d'autor | No s'ha definit l'estat de copyright |