és un semiconductor de banda estreta compost per indi i arsènic. From Wikipedia, the free encyclopedia
L'arsenur d'indi, InAs, o monoarsenur d'indi, és un semiconductor de banda estreta compost per indi i arsènic. Té l'aspecte de cristalls cúbics grisos amb un punt de fusió de 942 °C.[1]
  | |
| Substància química | tipus d'entitat química |
|---|---|
| Massa molecular | 189,825 Da |
| Estructura química | |
| Fórmula química | AsIn |
| SMILES canònic | |
| Identificador InChI | Model 3D |
| Cristal·lografia | |
| Sistema cristal·lí | sistema cristal·lí cúbic |
| NFPA 704: Standard System for the Identification of the Hazards of Materials for Emergency Response () | |
L'arsenur d'indi és similar en propietats a l'arsenur de gal·li i és un material de banda intercalada directa, amb un interval de banda de 0,35 eV a temperatura ambient.
L'arseniur d'indi s'utilitza per a la construcció de detectors d'infrarojos, per al rang de longitud d'ona d'1 a 3,8 µm. Els detectors solen ser fotodíodes fotovoltaics. Els detectors refrigerats criogènicament tenen un soroll més baix, però els detectors InAs també es poden utilitzar en aplicacions de major potència a temperatura ambient. L'arseniur d'indi també s'utilitza per a la fabricació de làsers de díode.[2]
L'InAs és ben conegut per la seva alta mobilitat d'electrons i la seva estreta banda d'energia. S'utilitza àmpliament com a font de radiació de terahertzs, ja que és un potent emissor foto-Dember.[3]
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
