রবার্ট নয়েস

রবার্ট নর্টন নয়েস (ডিসেম্বর ১২, ১৯২৭ - জুন ৩, ১৯৯০) ইন্টেল কর্পোরেশনের সহ-প্রতিষ্ঠাতা।

রবার্ট নয়েস
জন্ম	(১৯২৭-১২-১২)১২ ডিসেম্বর ১৯২৭ Burlington, Iowa
মৃত্যু	জুন ৩, ১৯৯০(1990-06-03) (বয়স ৬২) অস্টিন, টেক্সাস
মাতৃশিক্ষায়তন	Grinnell College ম্যাসাচুসেট্‌স ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজি
পেশা	Fairchild Semiconductor এবং ইন্টেল কর্পোরেশন এর সহ-প্রতিষ্ঠাতা
দাম্পত্য সঙ্গী	Elizabeth Bottomley Ann Bowers
সন্তান	William B. Noyce Pendred Noyce Priscilla Noyce Margaret Noyce
পিতা-মাতা	Ralph Brewster Noyce Harriet May Norton

প্রাথমিক জীবন

রবার্ট ১২ ডিসেম্বর ১৯২৭ রেভারেন্ড রালফ ব্রিস্টার নয়েস এর চার পুত্রের মধ্যে তৃতীয় পুত্র হিসাবে লোযা, বার্লিংটন জন্মগ্রহণ করেন।^{[১][২][৩][৪][৫]}

শিক্ষাজীবন

নয়েস হাই স্কুলে গণিত ও বিজ্ঞানে তার মেধার প্রকাশ দেখান। তিনি ১৯৪৫ সালে গ্রিনেল হাই স্কুল থেকে পাস করেন এবং ঐ বছরই গ্রিনেল কলেজে ভর্তি হন। ১৯৪৯ সালে তিনি গ্রিনেল কলেজ থেকে পদার্থবিজ্ঞান ও গণিতে ব্যাচেলর অব আর্টস ডিগ্রি অর্জন করেন। তিনি ১৯৫৩ সালে ম্যাসাচুসেট্‌স ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজি থেকে পদার্থবিজ্ঞানে ডক্টরেট ডিগ্রি অর্জন করেন।

কর্মজীবন

নয়েস ম্যাসাচুসেট্‌স ইনস্টিটিউট অফ টেকনোলজি থেকে পদার্থবিজ্ঞানে ডক্টরেট ডিগ্রি অর্জন করার পর ফিলাডেলফিয়ার ফিলকো কর্পোরেশনে রিসার্চ ইঞ্জিনিয়ার হিসেবে যোগদান করেন। ১৯৫৬ সালে ক্যালিফোর্নিয়ার মাউন্টেন ভিউতে শকলি সেমিকন্ডাক্টর ল্যাবরেটরীতে যোগদান করেন। ১৯৬৮ সালে তিনি গর্ডন মুরের সাথে ইন্টেল কর্পোরেশন প্রতিশঠা করেন।

প্যাটেন্ট

নয়েস ১৫টি প্যাটেন্টের অধিকারী

• মার্কিন পেটেন্ট ২৮,৭৫,১৪১  Method and apparatus for forming semiconductor structures, filed August 1954, issued February 1959, assigned to Philco Corporation
• মার্কিন পেটেন্ট ২৯,২৯,৭৫৩  Transistor structure and method, filed April 1957, issued March 1960, assigned to Beckmann Instruments
• মার্কিন পেটেন্ট ২৯,৫৯,৬৮১  Semiconductor scanning device, filed June 1959, issued November 1960, assigned to Fairchild Semiconductor
• মার্কিন পেটেন্ট ২৯,৬৮,৭৫০  Transistor structure and method of making the same, filed March 1957, issued January 1961, assigned to Clevite Corporation
• মার্কিন পেটেন্ট ২৯,৭১,১৩৯  Semiconductor switching device, filed June 1959, issued February 1961, assigned to Fairchild Semiconductor
• মার্কিন পেটেন্ট ২৯,৮১,৮৭৭  Semiconductor Device and Lead Structure, filed July 1959, issued April 1961, assigned to Fairchild Semiconductor
• মার্কিন পেটেন্ট ৩০,১০,০৩৩  Field effect transistor, filed January 1958, issued November 1961, assigned to Clevite Corporation
• মার্কিন পেটেন্ট ৩০,৯৮,১৬০  Field controlled avalanche semiconductive device, filed February 1958, issued July 1963, assigned to Clevite Corporation
• মার্কিন পেটেন্ট ৩১,০৮,৩৫৯  Method for fabricating transistors, filed June 1959, issued October 1963, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• মার্কিন পেটেন্ট ৩১,১১,৫৯০  Transistor structure controlled by an avalanche barrier, filed June 1958, issued November 1963, assigned to Clevite Corporation
• মার্কিন পেটেন্ট ৩১,৪০,২০৬  Method of making a transistor structure (coinventor William Shockley), filed April 1957, issued July 1964, assigned to Clevite Corporation
• মার্কিন পেটেন্ট ৩১,৫০,২৯৯  Semiconductor circuit complex having isolation means, filed September 1959, issued September 1964, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• মার্কিন পেটেন্ট ৩১,৮৩,১২৯  Method of forming a semiconductor, filed July 1963, issued May 1965, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• মার্কিন পেটেন্ট ৩১,৯৯,০০২  Solid state circuit with crossing leads, filed April 1961, issued August 1965, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
• মার্কিন পেটেন্ট ৩৩,২৫,৭৮৭  Trainable system, filed October 1964, issued June 1967, assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.

পুরস্কার ও সম্মাননা

• ইনস্টিটিউট অফ ইলেকট্রিক্যাল অ্যান্ড ইলেকট্রনিক্স ইঞ্জিনিয়ার্স মেডেল অব অনার, ১৯৭৮
• ন্যাশনাল মেডেল অব সায়েন্স, ১৯৭৯
• ন্যাশনাল মেডেল অব টেকনোলজি অ্যান্ড ইনোভেশন, ১৯৮৭