Loading AI tools
জাপানি প্রকৌশলী উইকিপিডিয়া থেকে, বিনামূল্যে একটি বিশ্বকোষ
ইসামু আকাসাকি (赤崎 勇 Akasaki Isamu, জন্ম ৩০ জানুয়ারি, ১৯২৯) একজন জাপানি পদার্থবিদ এবং পদার্থবিজ্ঞানে নোবেল পুরস্কার বিজেতা। তিনি ১৯৮৯ সালে উজ্জ্বল গ্যালিয়াম নাইট্রাইড(GaN) পি-এন জাংশন নীল এলইডি এবং তার কিছু সময় পরই অতি উজ্জ্বল GaN পি-এন জাংশন নীল এলইডি আবিষ্কারের জন্য সপরিচিত।[১][২][৩][৪][৫] এই আবিষ্কারের এবং অন্যান্য কাজের জন্য তিনি ২০০৯ সালে উন্নত প্রযুক্তি বিষয়ে কিয়োটো পুরস্কার লাভ করেন। তিনি ২০১৪ সালে হিরোশি আমানো এবং সুজি নাকামুরার সাথে যৌথভাবে পদার্থবিজ্ঞানে নোবেল পুরস্কার লাভ করেন।[৬]
ইসামু আকাসাকি | |
|---|---|
 | |
| জন্ম | ৩০ জানুয়ারি ১৯২৯ চিরান, কাওয়ানাবে জেলা, কাগোশিমা প্রিফেকচার |
| মাতৃশিক্ষায়তন | কিয়োটো বিশ্ববিদ্যালয় নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয় |
| পুরস্কার | Asahi Prize (২০০১) Takeda Award (২০০২) IEEE Edison Medal (২০১১) পদার্থবিজ্ঞানে নোবেল পুরস্কার (২০১৪) |
| বৈজ্ঞানিক কর্মজীবন | |
| প্রতিষ্ঠানসমূহ | মেইজো বিশ্ববিদ্যালয় নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয় |
আকাসাকি জাপানের কাগোসিমা প্রিফেকচারে জন্মগ্রহণ করেন। তিনি ১৯৫২ সালে কিয়োটো বিশ্ববিদ্যালয় থেকে স্নাতক এবং ১৯৬৪ সালে নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয় থেকে ডক্টর অফ ইঞ্জিনিয়ারিং, ইলেক্ট্রনিক্সে ডিগ্রী লাভ করেন। ১৯৬০-এর পর থেকে তিনি GaN-ভিত্তিক নীল এলইডি-এর উপর কাজ শুরু করেন। Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.(MRIT) নামক জায়গায় metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) এর ভিত্তিতে ধাপে ধাপে তিনি GaN ক্রিস্টাল এবং ইলেকট্রনিক বস্তুর গঠনের উন্নতি করতে থাকেন।[৭] ১৯৮১ সালে আকাসাকি নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ে MOVPE এর সাহায্যে GaN ক্রিস্টালের দারুণ উন্নয়ন করেন। ১৯৮৫ সালে তিনি এবং তার দল নিম্ন তাপমাত্রা বাফার লেয়ার প্রযুক্তির সাহায্যে নীলকান্তমণির উপর উচ্চ মানের GaN তৈরি করেন।[৮][৯] এই উচ্চমানের GaN কে ম্যাগণেসিয়ামে ডোপিং করে এবং তাৎক্ষনিকভাবে ইলেকট্রন ইররেডিয়েশন করে তারা ১৯৮৯ সালে পি-টাইপ GaN তৈরি করেন যার সাহায্যে তারা একইসালে GaN পি-এন জাংশন নীল/ইউভি এলইডি তৈরি করেন এবং ১৯৯০ সালে এন-টাইপ GaN এর পরিবাহিতার উপর নিয়ন্ত্রণ প্রতিষ্ঠা করেন[১০] এবং ১৯৯১ সালে সিলিকনে ডোপিং করে সংশ্লিষ্ট সঙ্কর ধাতু তৈরি করেন[১১] যা অধিক কার্যকরী পি-এন জাংশন লাইট এমিটিং এর গঠন ও নকশায় অসম গঠন(হেটারো স্ট্রাকচার) এবং একাধিক কোয়ান্টাম কূপের ব্যবহার নিশ্চিত করে। ১৯৯০ সালে তারা প্রথমবারের মত কক্ষ তাপমাত্রায় GaN থেকে উৎসাহিত হওয়ার মত নিঃসরণ দেখতে পান[১২] এবং ১৯৯৫ সালে উচ্চমানের AlGaN/GaN/GaInN কোয়ান্টাম কূপ যন্ত্রের পাল্সড কারেন্ট ইনজেকশনের সাহায্যে সেই নিঃসরণকে ৩৮৮ ন্যানোমিটার তরঙ্গদৈর্ঘ্যে উন্নীত করেন।[১৩] তারা ১৯৯১ সালে কোয়ান্টাম সাইজ ইফেক্ট[১৪] এবং ১৯৯৭ সালে কোয়ান্টাম কনফাইন্ড স্টার্ক ইফেক্ট লক্ষ করেন[১৫] নাইট্রাইড সিস্টেমের মধ্যে, এবং ২০০০ সালে তাত্ত্বিকভাবে পাইজোইলেকট্রিক ফিল্ডের বিন্যাসগত নির্ভরতা এবং নন-/সেমি-পোলার GaN ক্রিস্টালের অস্তিত্ব প্রমাণ করেন।[১৬] যা বর্তমান সময়ে অধিক কার্যকরী আলো নিঃসরণ যন্ত্র সৃষ্টিতে ঐ সমস্ত ক্রিস্টালের ব্যবহারের জন্য উৎপাদনের সংখ্যা বহুগুণে বাড়িয়ে দিয়েছে।
এসমস্ত আবিষ্কারের ভিত্তিতে অধ্যাপক আকাসাকি কিছু পেটেন্ট অর্জন করেন, রয়্যালটি লাভ করেন। নাগোয়া ইউনিভার্সিটি আকাসাকি ইন্সটিটিউট[১৭] ২০০৬ সালের অক্টোবর মাসের ২০ তারিখ থেকে কার্যক্রম শুরু করে। এই প্রতিষ্ঠান তৈরির খরচ পেটেন্টের রয়্যালটি হিসেবে প্রাপ্ত অর্থ থেকে যোগান দেয়া হয় যে অর্থ নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের অন্যান্য কাজেও ব্যয় করা হচ্ছিল। এই ইন্সটিটিউটে নীল এলইডি আবিষ্কারের ইতিহাস, গবেষণা ও উন্নয়নের উপর ভিত্তি করে এলইডি গ্যালারী তৈরি করা হয়েছে, গবেষণায় সহযোগী অফিস, সৃজনশীল গবেষণার জন্য ল্যাবরেটরি এবং সবার উপরে ৭ তলায় অধ্যাপক আকাসাকির অফিস অবস্থিত।
Seamless Wikipedia browsing. On steroids.
Every time you click a link to Wikipedia, Wiktionary or Wikiquote in your browser's search results, it will show the modern Wikiwand interface.
Wikiwand extension is a five stars, simple, with minimum permission required to keep your browsing private, safe and transparent.
