Distribución normal>0,} . entós ∂ ∂ σ ℓ ( X ¯ n , σ ) = − n σ + ∑ i = 1 n ( X i − X ¯ n ) 2 σ 3 = − n σ 3 ( σ 2 − 1 n ∑ i = 1 n ( X i − X ¯ n ) 2 ) , σ > 0. {\displaystyle
Distribución normal multivariante ∂ Σ ∂ θ m = [ ∂ Σ 1 , 1 ∂ θ m ∂ Σ 1 , 2 ∂ θ m ⋯ ∂ Σ 1 , N ∂ θ m ∂ Σ 2 , 1 ∂ θ m ∂ Σ 2 , 2 ∂ θ m ⋯ ∂ Σ 2 , N ∂ θ m ⋮ ⋮ ⋱ ⋮ ∂ Σ N , 1 ∂ θ m ∂ Σ N , 2
Amperiudellos xeneradores y receutores, la intensidá ye igual a: I = Σ E − Σ E ′ Σ R + Σ r + Σ r ′ {\displaystyle I={\frac {\Sigma \ {\mathcal {E}}-\Sigma
Resistencia de materiales∫ Σ σ x d y d z V y = ∫ Σ τ x y d y d z V z = ∫ Σ τ x z d y d z M x = ∫ Σ ( − τ x y z + τ x z y ) d y d z M y = ∫ Σ z σ x x d y d z M z = ∫ Σ − y σ x
Onda electromagnéticacon σ , el campu llétricu con E {\displaystyle \mathbf {E} \,} y el magnéticu con B {\displaystyle \mathbf {B} \,} : ( ∇ 2 − 1 c 2 ∂ 2 ∂ t 2 − μ σ ∂ ∂