![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/3d/Square_array_of_mosfet_cells_read.png/640px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png&w=640&q=50)
Dinamiese ewetoeganklike geheue
From Wikipedia, the free encyclopedia
Dinamiese ewetoeganklike geheue (Engels:Dynamic Random Access Memory of DRAM) is 'n soort ewetoeganklike geheue wat elke bis data in 'n afsonderlike kapasitor stoor. Aangesien kapasitors mettertyd hul elektriese lading verloor gaan die inligting uiteindelik verlore as die kapasitore nie periodies herlaai word nie. Hierdie herlaaivereiste maak dat hierdie soort geheue dinamies genoem word teenoor ander geheuesoorte wat staties (SRAM) is. Die voordeel bo SRAM is die eenvoudiger samestelling: slegs een transistor en een kapasitor word vereis per bis vergeleke met die ses transistors per bis van SRAM, wat sodoende DRAM se veel hoër digtheid verwesentlik. Aangesien DRAM sy data verloor wanneer die kragtoevoer verwyder word, ressorteer dit onder die klas van vlugtige geheuetoestelle.
![]() |
![]() |