砷化鎵
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砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料,用來製作微波積體電路[a]、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。
事实速览 砷化鎵, 识别 ...
砷化鎵 | |
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IUPAC名 Gallium arsenide | |
识别 | |
CAS号 | 1303-00-0 ? |
SMILES |
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性质 | |
化学式 | GaAs |
摩尔质量 | 144.645 g·mol⁻¹ |
外观 | 灰色立方晶体 |
密度 | 5.316 g/cm3[1] |
熔点 | 1238 °C (1511 K) |
溶解性(水) | < 0.1 g/100 ml (20 °C) |
能隙 | 1.424 eV300 K |
电子迁移率 | 8500 cm2/(V*s) (300 K) |
熱導率 | 0.55 W/(cm*K) (300 K) |
折光度n D |
3.3 |
结构 | |
晶体结构 | 闪锌矿结构 |
空间群 | T2d-F-43m |
配位几何 | 四面体 |
分子构型 | 直线形 |
危险性 | |
欧盟危险性符号 | |
警示术语 | R:R23/25-R50/53 |
安全术语 | S:S1/2-S20/21-S28-S45-S60-S61 |
MSDS | MSDS |
NFPA 704 | |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
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GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域,现在越来越多被应用于射频前端器件,这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性,在4G与5G时代有高度需求。[2]