Технологія виробництва напівпровідників
З Вікіпедії, безкоштовно encyclopedia
Технологічний процес напівпровідникового виробництва — технологічний процес виготовлення напівпровідникових (н/п) виробів і матеріалів, що передбачає послідовність технологічних (обробка, складання) та контрольних операцій, частина виробничого процесу виготовлення н/п виробів (транзисторів, діодів тощо).
Для виробництва н/п інтегральних мікросхем, застосовується фотолітографія і літографічне обладнання. Саме роздільна здатність (у мкм і нм) цього обладнання (т. зв. проектні норми) і визначає назву застосовуваного певного технологічного процесу.
Удосконалення технології та відповідне зменшення розмірів напівпровідникових структур, сприяють поліпшенню характеристик (розміри, енергоспоживання, вартість) напівпровідникових приладів (мікросхем, процесорів, мікроконтролерів тощо). Особливу значущість це має для процесорних ядер, стосовно споживання електроенергії та підвищення продуктивності, тож нижче у дописі вказано процесори (ядра) масового виробництва на певному техпроцесі.
Майже завжди використовується кремній, але для особливих застосувань, послуговуються різноманітними складаними напівпровідниками.
Процес виготовлення відбувається на вузькоспеціалізованих заводах з виробництва напівпровідників, які також називають «ливарнями» або «фабриками»[1], з осердям, котре є «чистою кімнатою». Для більш просунутих, досконалих напівпровідникових пристроїв, як-от сучасні вузли розміром 14/10/7 нанометрів, виготовлення може тривати до 15 тижнів, водночас термін 11-13 тижнів, є середнім показником по галузі[2]. Виробництво на передових виробничих потужностях цілком автоматизоване та здійснюється в непроникно закритому азотному середовищі заради підвищення виходу (відсоток мікрочипів, які правильно працюють у пластині), з роботизованими системами пересування матеріалів, котрі піклуються про доправлення пластин від машини до машини.